Основная Информация.
Модель №.
WEG 100-33
Display
Without Display
цвет
White, White and Black
Socket Type
For USA/Canada
Customized
Customized
модель
Weg-100W-2c
вход
100V-240V,AC 50/60Hz
сертификат
CCC,CE,FCC,ETL,PSE
Транспортная Упаковка
Color Box
Характеристики
66x32x68mm
Торговая Марка
wecent
Происхождение
China
Производственная Мощность
500PCS/Months
Описание Товара
Новые технологии зарядные устройства GaN 100 Вт с двумя типами портов, которые позволяют быстро заряжать несколько устройств. Это лучший выбор для того, чтобы дать семье и друзьям. Кроме того, вы получите 30%-ное повышение эффективности работы при использовании этого зарядного устройства, а также возможность использования одного зарядного устройства для трех устройств.
Для традиционных полупроводниковых материалов высокая частота переключения приводит к высоким потерям коммутации, а низкие потери материала GaN могут снизить тепловыделение,
При увеличении частоты переключения можно уменьшить объем трансформаторов и конденсаторов, что поможет уменьшить объем и вес зарядного устройства.
Теперь, когда быстрая зарядная мощность становится все выше и выше, массовое производство зарядных устройств GaN для гражданского использования можно сказать, что представляет собой направление развития зарядных устройств в будущем.
Хотя текущая цена относительно высока, считается, что в ближайшем будущем, по мере того как технология материалов GaN становится более зрелой и более популярной, стоимость зарядных устройств GaN станет ниже и ниже.
Нитрид галлия, молекулярная формула GaN, английское название нитрид галлия, — соединение азота и галлия. Это полупроводник с прямым разрывом (прямой разрывом) и в настоящее время используется в зарядных устройствах для быстрой зарядки.
Производительность широко признается клиентами. В ближайшие 1-3 лет будет очень широкий рынок.
Для традиционных полупроводниковых материалов высокая частота переключения приводит к высоким потерям коммутации, а низкие потери материала GaN могут снизить тепловыделение, При увеличении частоты переключения можно уменьшить объем трансформаторов и конденсаторов, что поможет уменьшить объем и вес зарядного устройства.
Теперь, когда быстрая зарядная мощность становится все выше и выше, массовое производство зарядных устройств GaN для гражданского использования можно сказать, что представляет собой направление развития зарядных устройств в будущем.
Хотя текущая цена относительно высока, считается, что в ближайшем будущем, по мере того как технология материалов GaN становится более зрелой и более популярной, стоимость зарядных устройств GaN станет ниже и ниже.
Нитрид галлия, молекулярная формула GaN, английское название нитрид галлия, — соединение азота и галлия. Это полупроводник с прямым разрывом (прямой разрывом) и в настоящее время используется в зарядных устройствах для быстрой зарядки.
Производительность широко признается клиентами. В ближайшие 1-3 лет будет очень широкий рынок.