Основная Информация.
Модель №.
WEG 140W
Display
With Display
Color
Black
Socket Type
For USA/Canada
Customized
Customized
ордер
два года
ключевые слова
быстрое зарядное устройство
размер изделия
85*80*31mm
вход
110-240V~50/60Hz 2.5A
Транспортная Упаковка
Color Box
Характеристики
85x31x76.5mm
Торговая Марка
wecent
Происхождение
China
Производственная Мощность
500PCS/Months
Описание Товара
Существует множество портов без потери скорости. Удобный доступ к скоростному скоростному шоссе в 5 направлениях, значительное повышение эффективности работы офиса и использование 3 каналов, таких как ноутбук и мобильный телефон. Он имеет широкий диапазон напряжения, также может использоваться за границей. 
Для традиционных полупроводниковых материалов высокая частота переключения приводит к высоким потерям коммутации, а низкие потери материала GaN могут снизить тепловыделение,
При увеличении частоты переключения можно уменьшить объем трансформаторов и конденсаторов, что поможет уменьшить объем и вес зарядного устройства.
Теперь, когда быстрая зарядная мощность становится все выше и выше, массовое производство зарядных устройств GaN для гражданского использования можно сказать, что представляет собой направление развития зарядных устройств в будущем.
Хотя текущая цена относительно высока, считается, что в ближайшем будущем, по мере того как технология материалов GaN становится более зрелой и более популярной, стоимость зарядных устройств GaN станет ниже и ниже.
Нитрид галлия, молекулярная формула GaN, английское название нитрид галлия, — соединение азота и галлия. Это полупроводник с прямым разрывом (прямой разрывом) и в настоящее время используется в зарядных устройствах для быстрой зарядки.
Производительность широко признается клиентами. В ближайшие 1-3 лет будет очень широкий рынок.
| Вход | 100–50 В ПЕРЕМ. ТОКА, 50/60 ГЦ , 2,5 А. |
| Размер изделия | US 76.5*85*31мм |
| Пакет | белый ящик (moq1000шт для бесплатной настройки) |
Для традиционных полупроводниковых материалов высокая частота переключения приводит к высоким потерям коммутации, а низкие потери материала GaN могут снизить тепловыделение,
При увеличении частоты переключения можно уменьшить объем трансформаторов и конденсаторов, что поможет уменьшить объем и вес зарядного устройства.
Теперь, когда быстрая зарядная мощность становится все выше и выше, массовое производство зарядных устройств GaN для гражданского использования можно сказать, что представляет собой направление развития зарядных устройств в будущем.
Хотя текущая цена относительно высока, считается, что в ближайшем будущем, по мере того как технология материалов GaN становится более зрелой и более популярной, стоимость зарядных устройств GaN станет ниже и ниже.
Нитрид галлия, молекулярная формула GaN, английское название нитрид галлия, — соединение азота и галлия. Это полупроводник с прямым разрывом (прямой разрывом) и в настоящее время используется в зарядных устройствах для быстрой зарядки.
Производительность широко признается клиентами. В ближайшие 1-3 лет будет очень широкий рынок.