Адаптер питания Smart 30W Plug PD Phone Charger Fast Charging
USB C 30 Вт PD Fast Charger USB C 30 Вт PD Fast ЗарядкаUSB C 30 Вт PD Fast Charger USB C 30 Вт PD Fast Зарядное устройство USB C 30 Вт PD Fast Charger

Для традиционных полупроводниковых материалов высокая частота переключения приводит к высоким потерям коммутации, а низкие потери материала GaN могут снизить тепловыделение,
При увеличении частоты переключения можно уменьшить объем трансформаторов и конденсаторов, что поможет уменьшить объем и вес зарядного устройства.

Теперь, когда быстро зарядная мощность становится все выше и выше, массовое производство зарядных устройств GaN для гражданского использования можно сказать, что представляет собой направление развития зарядных устройств в будущем.
Хотя текущая цена относительно высока, считается, что в ближайшем будущем, по мере того как технология материалов GaN становится более зрелой и более популярной, стоимость зарядных устройств GaN станет ниже и ниже.

Нитрид галлия, молекулярная формула GaN, английское название нитрид галлия, — соединение азота и галлия. Это полупроводник с прямым разрывом (прямой разрывом) и в настоящее время используется в зарядных устройствах для быстрой зарядки.
Производительность широко признается клиентами. В ближайшие 1-3 лет будет очень широкий рынок.